한양대나노 > Patents > 입자충진과 도금공정을 이용한 TSV(Through-Si-Via) 형성

04. Publication

· 특허 정보


ㆍ발명인	· 유봉영, 좌용호, 진상현

ㆍ발명 명칭	· 입자충진과 도금공정을 이용한 TSV(Through-Si-Via) 형성

ㆍ등록번호	·

ㆍ등록일자	·

ㆍ등록처(국가)	· 대한민국

ㆍ출원일자	· 2011. 06. 17

ㆍ출원번호	· 10-2011-0058980

ㆍ상태	· 출원

ㆍ설명	·