한양대나노 > Patents > 습식 전해 증착을 이용한 관통 실리콘 비아 전극(TSV)의 형성 공정 중 비아 내 물질량 조절 방법

04. Publication

· 특허 정보


ㆍ발명인	· 유봉영

ㆍ발명 명칭	· 습식 전해 증착을 이용한 관통 실리콘 비아 전극(TSV)의 형성 공정 중 비아 내 물질량 조절 방법

ㆍ등록번호	·

ㆍ등록일자	·

ㆍ등록처(국가)	· 대한민국

ㆍ출원일자	· 2015.04.23

ㆍ출원번호	· 10-2015-0056939

ㆍ상태	· 출원

ㆍ설명	·